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GM1110型GaN內匹配單級功率放大器晶片，具有超寬帶、高線性、高效率、增益平坦等特點。該晶片在漏極電壓28V下可在30~700MHz內提供12.5W的輸出功率。該晶片主要用於綜合終端射頻前端、手持電台射頻前端等領域。
GM1110下載（GM1110產品手冊22.6.8.pdf）
電話：0571-81023676
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公司地址：浙江省杭州市西湖區三墩鎮智強路428號
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