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    GM1106

    GM1106型GaN內匹配兩級功率放大器晶片，具有超寬帶、高線性、高效率、增益平坦等特 點。該晶片在漏極電壓28V下可在30~700MHz內提供12.5W的輸出功率。該晶片主要用於綜 合終端射頻前端、手持電台射頻前端等領域。

    關鍵技術指標
    • • 工作頻率：30~700MHz
    • • 飽和輸出功率：41.5dBm
    • • 功率增益：28dB
    • • 效率：55%
    • • 晶片尺寸：9mm×6mm×2.2mm

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