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    GM1109

    GM1109型GaN內匹配單級功率放大器晶片，具有超寬帶、高線性、高效率、增益平坦等特點。該晶片在漏極電壓28V下可在30~1500MHz內提供5W的輸出功率。該晶片主要用於綜合終端射頻前端、手持電台射頻前端等領域。

    關鍵技術指標
    • • 工作頻率：30~1500MHz
    • • 飽和輸出功率：37dBm
    • • 功率增益：13.5dB
    • • 飽和漏極效率：50%
    • • 晶片尺寸：4mm×4mm×0.9mm

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