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GMB2314型Bypass LNA晶片應用設計指南

公司簡介

       浙江省微波毫米波射頻產業聯盟旗下的浙江尊龙凯时人生就是搏股份有限公司(代碼:688270.SH)於2015年9月註冊成立,坐落於杭州城西科創大走廊紫金港科技城,毗鄰杭州西溪國家濕地公園和浙大紫金港校區。
       公司專注於終端射頻前端晶片、射頻收發晶片、高速ADC/DAC晶片、高可靠電源晶片、射頻前端模組和微系統產品的研發、生產和銷售,致力於為客戶提供從天線到信號處理鏈路上射頻模擬晶片的完整解決方案,產品廣泛應用於移動通信、衛星互聯網、物聯網、特種行業等領域,是國內產品種類最為齊全的高端射頻模擬晶片公司。

Bypass LNA簡介

       為了確保接收機信號的可靠性,針對不同信號強度,射頻前端需要具有調節性能的能力。對於弱信號而言,低噪聲放大器應具有高增益和低噪聲的特性;對於強信號而言,為避免接收機過載應選擇具有低增益和高線性特性的放大器。集成旁路功能的級聯放大器應具有高增益和低噪聲的性能,同時在旁路時,又具有低增益高線性的性能。這些特性在設計需要高靈敏度,出色的功率效率和寬功率處理範圍的便攜式接收機射頻前端時十分重要。


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圖1 無線系統中傳統的Switched-LNA




GMB2314型 Bypass LNA應用

       本文介紹的GMB2314型Bypass LNA使用便捷,可原位替代美國Qorvo公司產品TQL9042,且與國外器件相比,外圍電路更為簡潔,片外無需外接漏極電感,工作頻帶向下拓展至30~2200MHz,可適配超寬帶終端、電台等應用場景。

       · GMB2314架構及引腳定義

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圖2 GMB2314架構及引腳定義

       · GMB2314控制邏輯

       GMB2314控制邏輯簡單,應用十分便利,採用兩路控制電壓V1和V2即可實現電路的三種工作狀態,如表1所示,其中VIL和VIH分別代表低電平和高電平。

       當V2/V1=VIL/VIH或V2/V1=VIH/VIL時,LNA和Bypass支路同時關斷;V2/V1=VIH/VIH時,Bypass支路開啟,LNA支路關斷;V2/V1=VIL/VIL時,LNA支路開啟,Bypass支路關斷。

表1 GMB2314控制邏輯

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       · GMB2314典型工作參數

       GMB2314在工作電壓3.3V狀態下的性能參數如下表所示。其中,在Bypass支路關斷狀態下,1GHz頻點處增益為21dB,噪聲係數1dB左右,1dB壓縮點18dBm,OIP3達到32dBm,工作電流50mA;LNA支路關斷狀態下,插損為0.65dB;同時關斷狀態下,隔離度為50dB。此外,高低電平選擇相對靈活,高電平可在0.6~6V範圍內,低電平在0~0.1V範圍內根據系統供電選擇。

表2 GMB2314性能指標

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       · GMB2314典型應用電路

       GMB2314應用電路如下圖所示,可以看到,外圍僅需要2顆隔直電容和2顆漏極退耦電容即可正常工作,無需額外的外圍電感,大幅縮減了布板面積。

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圖3 GMB2314典型應用電路

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       · GMB2314典型測試曲線

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圖4 GMB2314 LNA ON狀態增益及回波損耗

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圖5 GMB2314 Bypass ON狀態插損及回波損耗

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圖6 GMB2314 Bypass & LNA OFF狀態隔離度及LNA ON狀態噪聲係數

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圖7 GMB2314 LNA ON狀態P1dB及OIP3


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